半導体の代表的な構造の一つである、相補形金属酸化膜半導体素(CMOS　Complementary Metal Oxide Semiconductor)を用いた撮像素子のひとつ。イメージセンサのピクセル毎に増幅器を持つことで、光信号を電気信号に変換した後の読み出し電気ノイズの発生が小さいという特徴を持つ。CMOS構造のLSI製造プロセスでの生産が可能なため、CCDイメージセンサと比べ安価に製造ができる。また、CCDに比べ消費電力が少ないという特長がある。画素毎に増幅器を用いるため、特性差による固定パターンノイズの発生もあるが補正技術も向上した。最近ではフォトダイオード(PD)の高出力化・低雑音化、PDから増幅器への電荷転送効率の向上、PDの受光面積を拡大するためのトランジスタの複数画素間での共用化などの改良手段により、S/N比など性能が大幅に向上している。携帯電話、一眼レフタイプのデジタルカメラに多用されている。