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 III 族窒化物半導体を用いた紫外発光素子は,最近結晶成長技術及びデバイス設計法が急速に進歩し,一部ですでに実用化が始まっています。水・空気の清浄,医療応用,リソグラフィなど,今後照明や電力制御に次ぐ大きな市場が期待されています。
 本講演では,紫外発光素子の応用例,紫外発光材料としてのIII 族窒化物半導体の物性,最近の進歩の原動力となった結晶成長技術,導電性制御とデバイス構造設計法,光取り出し技術など物性的な基礎からデバイス物理の基礎を概説し,最先端の紫外発光素子の現状と将来性を紹介します。
 講師には,GaN系半導体研究の第一人者であり,青色発光ダイオードの研究・開発において,名城大学の赤崎勇教授と共に先導的役割を果たし,今も世界をリードする名古屋大学大学院工学研究科の天野浩教授を迎えました。
 世界的な研究者の生の声を聞ける,この機会をお見逃しなく!

会期・会場

2011年11月17日(木) 10:00〜16:00 (受付9:30〜)
東京・四谷 主婦会館プラザエフ3F コスモス

プログラム

第1部 なぜ紫外・深紫外発光素子が必要か?
紫外・深紫外発光素子への期待:小型固体発光素子があると,どのような応用展開が開けるのか? 水・空気の殺菌・清浄化,皮膚病治療,リソグラフィ,貨幣判別,化学物質判別,農業への応用
紫外・深紫外発光素子開発の歴史:III 族窒化物半導体開発の歴史,各国の研究開発の動向
第2部 どのようにして紫外・深紫外発光素子を作製するのか?
AlN及びAlGaNの結晶成長:MOVPE法を用いた成長,昇華法による成長,HVPE法による成長,PA MBE法による成長
p型伝導性制御・電気的特性:伝導性制御の基本原則,さまざまな不純物と伝導性制御,浅い準位と深い準位
第3部 紫外・深紫外発光素子の物理と今後の展開
紫外・深紫外発光素子の効率を決める要因:素子構造設計法,素子性能・効率の測定,素子効率を規定する要因,素子寿命
今後の展望:どうすれば,より高性能の素子が実現できるか?
※上記プログラムは2011年9月9日時点のものです。予告なく変更される場合もございますので、予めご了承下さい。

講師

天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科 教授
<略歴>
1983年 名古屋大学工学部電子工学科卒業
1988年 名古屋大学大学院博士課程終了,同大学助手
1989年 名古屋大学、工学博士学位取得
1992年 名城大学工学部講師
1998年 名城大学助教授
2002年 名城大学教授
2010年 名古屋大学教授
<主な表彰>
1994年 オプトエレクトロニクス会議特別賞受賞
1996年 赤崎,中村とともに米国IEEE/LEOS エンジニアリングアチーブメント賞受賞
1998年 応用物理学会賞C(会誌賞)受賞
1998年 赤崎,中村とともに英国ランク賞
2001年 丸文学術賞
2002年 武田賞
2003年 SSDM Award
2008年 日本結晶成長学会論文賞
2009年 応用物理学会フェロー,文部科学省科学技術政策所ナイスステップな研究者

受講料・申込方法 他

受講料 一般:\29,550 (税、月刊OPTRONICS 1年間定期購読料込)
月刊OPTRONICS 定期購読者:\18,000 (税込)
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定員 60名(定員になり次第締切)
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受付が完了しましたら、受講票と請求書を郵送致します。開催前までに所定の口座に受講料をお振込み下さい。
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規程
お客様のご都合による受講解約の場合、10/28(金)までは受講料の50%、10/29(土)以降につきましては受講料の全額を解約金として申し受けます。
主催 月刊 OPTRONICS
お問合せ (株)オプトロニクス社 担当:杉島
Tel:(03)5225-6612 E-mail:sugishima@optronics.co.jp