オープンセミナー『先端半導体と光電融合技術の最前線』

2026年04月23日(木) 13:00-16:15 展示ホール内特設会場2
【PEC-1 先端半導体と光電融合技術の最前線

開会のあいさつ

千歳科学技術大学 鈴木 正敏 氏

副学長・教授

基調講演『メイド・イン・ジャパンの挑戦:チップレット技術が拓く新次元への道』

Rapidus(株) 折井 靖光 氏

専務執行役員・エンジニアリングセンター長
半導体産業の中で、先端ロジック半導体は前工程と後工程の両方で性能向上が求められる新たな時代に突入しています。

本講演では、2nm世代ロジック半導体の開発を行っているRapidusが取り組む次世代チップレット技術を中心に、前後工程の連携が生み出す新たな価値を紹介します。 特に、大判パネルを活用した実装方式や微細配線技術、設計と製造を統合するための仕組み、そして信頼性を確保する 評価・解析技術など、パッケージングにおける差別化の方向性を解説します。

 また、これから開発を加速するチップレット技術を応用した光電融合技術について紹介します。

招待講演『半導体の進化について~産総研の先端半導体研究の取り組み~』

産業技術総合研究所 昌原 明植 氏

先端半導体研究センター センター長
半導体は、私たちの生活のさまざまな場面で活用され、社会課題の解決や産業競争力強化になくてはならない存在になっています。それ故、その半導体を如何に確保していくかが、エネルギー同様、経済安全保障の観点から極めて重要な課題となっています。

それに加え、生成AIをはじめとするAI処理系半導体集積回路の高性能化のため、半導体自体の性能向上に対する要求も高まる一方です。すなわち、更なる半導体の進化が必要不可欠になっています。

私たち産総研先端半導体研究センターは、我が国における先端半導体技術を確保、ならびに、研究開発、試作サービスの提供、人材育成を一体として実施することによる先端半導体のオープンイノベーションの推進を目的として、2023年10月に、産総研に設立されました。

革新的な半導体プロセス・材料技術と最先端の製造装置を武器に、従来困難とされていた2nm世代より微細な(Beyond 2nm)半導体を実現するために必要となるプロセス・材料技術を開発し、今後数世代にわたり高い競争力を有するBeyond 2nm半導体の製造技術を我が国において構築することを目指しています。

 当日は、半導体の進化と、それに向けた私たちの現在の取り組みについてご紹介いたします。

●初級程度(大学専門程度、基礎知識を有す)

招待講演『半導体パッケージング技術の新たな挑戦:三次元ヘテロ集積からCo-Packaged Opticsまで』

東北大学 福島 誉 氏

医工学研究科/工学研究科 教授
東北大学では、1994年より3D-IC/TSVに関する先駆的な研究を展開し、2007年頃からはSiインターポーザを用いたチップ間光インターコネクションや現在のCo-Packaged Optics(CPO)に繋がる革新的な技術開発を牽引してきた。

特に、Multi-Project Wafer等のファウンドリサービスで製造された既存の2Dシャトルチップに対し、後工程で高精度なTSVを付与する「ダイレベルVia-last TSV形成技術」は、他機関の追随を許さない唯一無二の技術である。本手法は、MRAM、MEMS、µLED、RF-IC、AIチップといった多種多様な異種デバイスのアジャイルプロトタイピングを可能にし、三次元配線を用いた高度な異種機能集積と、その原理・機能実証を迅速に実現する環境を提供してきた。

近年では、次世代実装の鍵となるChip-to-Waferハイブリッド接合に注力しており、半導体パッケージング分野最大の国際会議ECTCにおいて世界最多の論文採択数を誇るなど、その活動は国際的に高く評価されている。さらに、HBMの熱課題を打破すべく、チップを立てて垂直に配置する直交積層MOSAIC (Massive Orthogonal Stacking Assembly of IC)」の側面配線微細を検討している。

本講演では、個別の技術開発に留まらず、全体論としてチップ集積を捉える「ホリスティック集積」の重要性を説き、三次元ヘテロ集積からCPOに至る最新の研究アクティビティを詳述する。

●中級程度(大学院程度、ある程度の経験を有す)

招待講演『シリコンフォトニクス~imecのSilicon Photonicsの取り組み』(仮)

imec japan 小高一成

シニア・ビジネスデベロップメント・マネージャー

招待講演『シリコンフォトニクスを用いた光電融合トランシーバ』

アイオーコア(株) 中村 隆宏 氏

光技術統括部長
AIを利用した機器の自動化により、機器自体の構造や構成が変わりつつある。即ち、CPU/MPU、カメラやセンサーがネットワーク化され大量の情報を伝送するため、サーバー内部、FA機器内部、航空宇宙及び自動車などの機器内部では、これまでのCu配線に代わり光配線化が重要になっている。

この分野はこれまでの光通信とは異なり広い温度範囲での動作と高信頼、低コストが求められる。我々が開発を進めてきたシリコンフォトニクスを用いた光電融合トランシーバであるIOCore®は、これらのアプリケーション要求に合致したものであり、IOCore®開発の構想や経緯なども含めて紹介する。

●初級程度(大学専門程度、基礎知識を有す)

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折井 靖光

Rapidus(株)

専務執行役員・エンジニアリングセンター長

昌原 明植

産業技術総合研究所

先端半導体研究センター センター長

1995年早稲田大学大学院理工学研究科博士後期課程終了。博士(工学)。2002年産業技術総合研究所入所。以来、一貫して先端半導体に関する研究に従事。2005〜06年、ベルギー国imec客員研究員。2022年に設立された技術研究組合最先端半導体技術センター(LSTC)にも組合員として参画し、技術開発管理本部長として活動。

福島 誉

東北大学

医工学研究科/工学研究科 教授

2003年4月~ 東北大学 大学院工学研究科でポスドク、助手、助教、准教授を経て2025年4月~ 東北大学 大学院医工学研究科医工学専攻 教授
2016年3月~2017年7月 、2022年9月~11月 米国UCLA, Electrical Engineering Department, Visiting Faculty
東北大学 大学院工学研究科機械機能創成専攻 教授 兼任
東北大学 未来科学技術共同研究センター 教授 兼任
熊本大学 半導体・デジタル研究教育機構 クロスアポイントメント教授 兼任
技術研究組合最先端半導体技術センター(LSTC) 3Dパッケージング技術開発部門 部門長 兼任

中村 隆宏

アイオーコア(株)

光技術統括部長

1988年阪大・基礎工・大学院博士前期課程終了。同年日本電気(株)入社。以来、1.3µm帯PON用高出力レーザ、10GbE用AlGaInAsレーザ、1.1µm帯VCSELなどの研究開発に従事。2010年より技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)に出向し、シリコンフォトニクス集積回路の研究開発に従事。2022年よりアイオーコア(株)に所属し、現在、光技術統括部長。博士(工学)。